兆易创新Flash存储技术赋能AI IPC产业升级

在AIoT技术快速演进的兆易时代背景下，AI IPC行业正在经历前所未有的创新h存储技产业技术变革。作为中国存储芯片行业的术赋升级领军者，兆易创新凭借其在NOR/NAND Flash领域二十年的兆易技术沉淀和持续创新，正为AI IPC产业的创新h存储技产业技术升级注入强大动能。

7月4日，术赋升级在第九届集微半导体大会“端侧AI技术与应用创新论坛”上，兆易兆易创新存储事业部资深市场经理丁冲发表了题为《兆易创新Flash在AI IPC行业的创新h存储技产业应用及创新》的主题演讲，系统介绍了公司Flash产品在AI IPC领域的术赋升级创新应用。他从技术积累、兆易产品矩阵和场景方案三个维度，创新h存储技产业展示了兆易创新在工艺制程、术赋升级产品性能和可靠性方面的兆易最新突破。

▲兆易创新存储事业部资深市场经理丁冲

十年复合增长率超20%

稳居全球SPI NOR Flash第一阵营

在半导体行业快速发展的创新h存储技产业背景下，兆易创新作为中国存储芯片领域的术赋升级领军企业，展现了强劲的发展势头和创新能力。2024年，兆易创新实现营收73.56亿元，十年复合增长率达到20%以上。公司2024年研发投入12.56亿元人民币，目前已服务超过2万家客户。

在核心产品线SPI NOR Flash领域，兆易创新展现出强劲的市场竞争力，已稳居全球第二的市场份额，累计出货量超过270亿颗，年出货量突破40亿颗，这相当于每天向市场供应超1000万颗芯片。依托持续的技术积累与产品布局，兆易创新已构建了完整的存储解决方案矩阵，其产品容量覆盖从512Kb到2Gb的全范围，可充分满足不同应用的存储需求。

兆易创新以技术创新为核心驱动力，在存储芯片性能指标上实现多项突破。其SPI NOR Flash产品最高主频已支持200MHz；可靠性方面，产品擦写寿命达10万次，64Mb及以上容量产品中具备ECC纠错功能，可全面满足工业级和车载应用的严苛需求。

针对不同应用场景，公司推出一系列创新解决方案：GD25LE系列凭借其低功耗特性可显著延长设备待机时间；1.2V超低电压产品和1.8V VCC 1.2V VIO双电压设计产品可充分满足1.2V SoC对电压和性能的多重需求；1.2x1.2mm USON6等创新性封装技术，能够为小型化设备提供支持。

在质量管理方面，据丁冲介绍，兆易创新建立了完善的产品认证体系，获得包括ISO 26262、IEC 61508等多项国际认证。在合肥投资建设的3000+平方米国家级实验室，具备包括可靠性、失效分析、晶圆测试及成品测试等在内的27项主要测试能力。

前瞻布局AI IPC场景

创新方案解决行业痛点

随着AI技术的快速迭代和智能安防应用的持续渗透，中国AI IPC产业正迎来持续增长。目前中国企业在全球安防市场占据主导地位，行业整体保持5%-8%的稳定增长。值得注意的是，消费级安防市场增速显著高于行业级市场，达到15%-20%，带动NAND Flash存储需求快速增长。

面对安防行业的发展趋势，兆易创新深入分析市场需求，积极推动技术升级。在消费类安防领域，公司的SPI NOR Flash加速从55nm向45nm工艺切换，推出GD25Q64H/GD25Q128H等系列产品，以更低功耗、更小的尺寸和更优的成本优势满足市场需求，目前已在行业头部厂商实现批量应用。

针对AI技术推广带来的NVR需求的快速增长，兆易创新推出具有革命性的GD5F1GM9系列QSPI NAND产品，通过集成低功耗运行、快速读取、坏块管理等核心功能，精准解决存储产品在智能安防场景中的性能瓶颈。该系列产品支持SDR（速率最高达166MHz）和DTR（速率达104 MHz）模式，并通过引入二级缓存架构，极大提高数据传输的吞吐速率，有效支撑需要在100~200毫秒内启动的快启应用。此外，产品还具备灵活的坏块管理功能，出厂时保证前256个块为完好状态，并且生命周期内允许用户替换最多20个坏块，极大提升了系统稳定性和用户操作便捷性。凭借以上出色的产品特性，GD5F1GM9系列在智能门锁、智能安防等应用场景中获得广泛认可。

“我们始终以解决行业痛点为出发点，”丁冲表示，“从工艺升级到产品创新，都在为客户创造更大价值。”随着AI技术的普及，兆易创新将持续加大研发投入，推动存储芯片技术的创新发展，为中国半导体产业核心竞争力的提升注入持续动能。

*文章来源：集微网

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